Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, obsolete

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)
ks
ID Code:140410
Výrobce:ON Semiconductor (Farchild)
Cena s DPH : 60,500000 Kč
Cena bez DPH : 50,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:545 ks
Značení výrobce: HGTP5N120BND
Centrální sklad Zdice: 545 ks
Dodací lhůta výrobce: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 50,000000 Kč60,500000 Kč
5 + 45,200000 Kč54,692000 Kč
10 + 42,700000 Kč51,667000 Kč
25 + 40,200000 Kč48,642000 Kč
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube, obsolete

Základní informace:

Značení výrobceHGTP5N120BND 
Dodací lhůta výrobceObsolete [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro [inch] :TO-220AB 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:2.4 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):50 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)21 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)2.7 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.45 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)167 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)65 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)175 [ns]
Qg (Total Gate Charge)53 [nC]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.75 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů2.5 [mm]
Počet PIN (vývodů)
L - Délka 15 [mm]
L1 - Délka 6.5 [mm]
W - Šířka 10 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry vývodů[mm]
Lv - Délka vývodů12.7 [mm]

Potřebujete poradit ? HGTP5N120BND ON Semiconductor (Farchild)

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace