Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

MUR1100ERLG &ON

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
MUR1100ERLG &ON ON Semiconductor
MUR1100ERLG &ON ON Semiconductor
ks
ID Code:141785
Výrobce:ON Semiconductor
Cena s DPH : 8,470 CZK
Cena bez DPH : 7,000 CZK
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: MUR1100ERLG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
NOVINKA: N
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 7,000 CZK8,470 CZK
250 + 6,400 CZK7,744 CZK
500 + 5,900 CZK7,139 CZK
1000 + 4,980 CZK6,026 CZK
1000V 1A/Ta95°C trr75ns ,case 59

Základní informace:

Značení výrobceMUR1100ERLG 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro (tvar):axial ø2.6 x 5.1 
Typ součástky:Diode fast 
Konfigurace:1xDioda 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1000 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)[A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)[A]
UF (maximum forward voltage)1.75 [VDC]
IR (zpětný proud)10 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)-0.0001 [1000*A2s]
trr doba zotavení (@25°C)75 [ns]

Materiál, barva, provedení:

Materiál:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-65 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.4 [g]
Počet jednotek v balení:1000 

Váš dotaz MUR1100ERLG &ON

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace