Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

RGP02-20E /p &VI

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
RGP02-20E /p &VI Vishay
RGP02-20E /p &VI Vishay
ks
ID Code:145111
Výrobce:Vishay
Cena s DPH : 7,865 CZK
Cena bez DPH : 6,500 CZK
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:475 ks
Značení výrobce: RGP02-20E
Centrální sklad Zdice: 473 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 2 ks
Jednotka:: ks
NOVINKA: N
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 6,500 CZK7,865 CZK
5 + 6,000 CZK7,260 CZK
25 + 6,000 CZK7,260 CZK
50 + 5,480 CZK6,631 CZK
2000V 500mA/Ta=55°C Uf<1.8V trr<300ns , f2.7x5-0.6mm Uf<1.8V/0.1A

Základní informace:

Značení výrobceRGP02-20E 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro (tvar):axial ø2.6 x 5.1 
Typ součástky:Diode fast 
Konfigurace:1xDioda 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 2000 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)0.5 [A]
Idc max (Tc/Ta=50÷59°C)0.5 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (zpětný proud)[µA]
I2t (TC/TA=25°C)-0.0001 [1000*A2s]
trr doba zotavení (@25°C)300 [ns]

Materiál, barva, provedení:

Materiál:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-65 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.6 [g]
Počet jednotek v balení:500 

Váš dotaz RGP02-20E /p &VI

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace