Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

TM10T3B-H

20A 800V 3 Phase Mix Bridge ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
TM10T3B-H Mitsubishi
TM10T3B-H Mitsubishi
ks
ID Code:144508
Výrobce:Mitsubishi
Cena s DPH : 3 426,723025 Kč
Cena bez DPH : 2 832,002500 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: TM10T3B-H
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 832,002500 Kč3 426,723025 Kč
2 + 2 378,902100 Kč2 878,471541 Kč
4 + 2 265,602000 Kč2 741,378420 Kč
6 + 2 152,301900 Kč2 604,285299 Kč
200A 800V 3 Phase Mix Bridge ,

Základní informace:

Značení výrobceTM10T3B-H 
Vývody:Faston 6.3 
Typ součástky:Bridge 3f Controlled 
KategorieBridge Standard Si 
Konfigurace:Bridge 3f-C  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:141.9 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)20 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)20 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)500 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)50 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)170 [A2s]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)4.5 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? TM10T3B-H Mitsubishi

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace