Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

120NQ045R

Dioda Schottky Si Modul

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
120NQ045R Vishay
120NQ045R Vishay
ks
ID Code:138662
Výrobce:Vishay
Cena s DPH : 1 050,280000 Kč
Cena bez DPH : 868,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:38 ks
Značení výrobce: VS-120NQ045R
Centrální sklad Zdice: 38 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 868,000000 Kč1 050,280000 Kč
3 + 855,000000 Kč1 034,550000 Kč
5 + 849,000000 Kč1 027,290000 Kč
10 + 842,000000 Kč1 018,820000 Kč
45V 120A/99°C Uf=0.57V/120A/25°C , 1550A/10ms základna-A

Základní informace:

Značení výrobceVS-120NQ045R 
Typ součástky:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky Modul 
Konfigurace:single (1D) BA  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :HALF-PAK 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSNe 
REACHNe 
NOVINKA

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:29.5 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):50 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)120 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)120 [A]
UF (maximum forward voltage)0.73 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)10000 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.4 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? 120NQ045R Vishay

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace