Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

12CWQ06FN

Dioda Schottky Si SMD

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
12CWQ06FN Vishay
12CWQ06FN Vishay
12CWQ06FN Vishay
ks
ID Code:148698
Výrobce:Vishay
Cena s DPH : 42,592000 Kč
Cena bez DPH : 35,200000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: 12CWQ06FN
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 35,200000 Kč42,592000 Kč
5 + 32,300000 Kč39,083000 Kč
10 + 29,300000 Kč35,453000 Kč
38 + 27,900000 Kč33,759000 Kč
60V 2x6A/135°C 130A/10ms 0.47V/6A/25°C , Rthjc=1.5°C/W

Základní informace:

Značení výrobce12CWQ06FN 
Typ součástky:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky SMD 
Konfigurace:com.cathode 2D  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ pouzdra:SMD 
Pouzdro [inch] :DPAK 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):75 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)12 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)12 [A]
UF (maximum forward voltage)0.79 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)3000 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.5 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 6.5 [mm]
W - Šířka 2.3 [mm]
H - Výška 6.1 [mm]

Potřebujete poradit ? 12CWQ06FN Vishay

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace