Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

FD200R12KE3

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
FD200R12KE3 Infineon Technologies
FD200R12KE3 Infineon Technologies
FD200R12KE3 Infineon Technologies
ks
ID Code:161598
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 3 344,440000 Kč
Cena bez DPH : 2 764,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: FD200R12KE3
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 764,000000 Kč3 344,440000 Kč
2 + 2 606,000000 Kč3 153,260000 Kč
3 + 2 290,000000 Kč2 770,900000 Kč
6 + 2 211,000000 Kč2 675,310000 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceFD200R12KE3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Low side 1*(Boost Chopper)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*(IGBT+D)+D 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITRANS-3 
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:355 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)295 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)19000 [A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1050 [W]
tr (Turn-on / rise time)90 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)130 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1900 [nC]
Cin (Input Capacitance)14000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:108x62x31 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů28 [mm]
L - Délka 106.4 [mm]
W - Šířka 61.4 [mm]
H - Výška 30.5 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:161301 - SKM200GAL12E4 (SMK) 

Související zboží - FD200R12KE3

I+case 62x106_F05-AL2 I+case 62x106_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035   Zn.výrobce: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Množství [ks]1+50+200+500+
CZK/ks60,00000057,20000054,20000051,400000
Celkem skladem: 9104
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? FD200R12KE3 Infineon Technologies

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace