- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- FZ750R65KE3
FZ750R65KE3
Zboží již není skladem
| ID Code: | 163363 |
| Výrobce: | Infineon Technologies |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | FZ750R65KE3 |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
Základní informace:
| Značení výrobce | FZ750R65KE3 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | single-E3*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 3*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 3 ks |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | MODUL-A |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 2010.2 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 750 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 750 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 10200 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 3 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 3 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 470000 [A2s] |
| tr (Turn-on / rise time) | 330 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 400 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 31000 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 205000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 190x140x48 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -50 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.008 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| L - Délka | 190 [mm] |
| W - Šířka | 140 [mm] |
| H - Výška | 48 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Alternativa 1: | 185405 - DIM 750ASM65-PS500 (DYN) |