Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

VUO36-16N08

1600V, I=35A/62°C ,-40+150°C

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
VUO36-16N08 Ixys
VUO36-16N08 Ixys
VUO36-16N08 Ixys
ks
ID Code:165708
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 421,080000 Kč
Cena bez DPH : 348,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: VUO36-16N08
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 348,000000 Kč421,080000 Kč
2 + 328,000000 Kč396,880000 Kč
3 + 288,300000 Kč348,843000 Kč
6 + 278,300000 Kč336,743000 Kč
1600V, I=35A/62°C ,-40+150°C

Základní informace:

Značení výrobceVUO36-16N08 
Vývody:Faston 6.3 
Typ součástky:Bridge 3f Uncontrolled 
KategorieBridge Standard Si 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :M3Q28x10FP 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36.8 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)27 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)27 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.7 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (zpětný proud)300 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)1520 [A2s]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.25 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? VUO36-16N08 Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace