Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SKIIP2013GB172-4DL

1700V 1650A/25°C ,2-pack-inteligent Power System

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SKIIP2013GB172-4DL Semikron
SKIIP2013GB172-4DL Semikron
SKIIP2013GB172-4DL Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:158816
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SKiiP2013GB172-4DL
Centrální sklad Zdice: 10 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1700V 1650A/25°C ,2-pack-inteligent Power System

Základní informace:

Značení výrobceSKiiP2013GB172-4DL 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:8*IGBT+8*D 
Počet obvodů (v pouzdře) 8 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SKiiP3-4F 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:18000 [g]
Typ balení:PALE 
Malé balení (počet jednotek):
Velké balení (BOX):30 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1650 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1250 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.015 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.029 [°C/W]

Potřebujete poradit ? SKIIP2013GB172-4DL Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace