Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

S3PDB180N16

1600V 180A/100°C ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
S3PDB180N16 Sirectifier
S3PDB180N16 Sirectifier
ks
ID Code:173018
Výrobce:Sirectifier
Cena s DPH : 1 640,760000 Kč
Cena bez DPH : 1 356,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: S3PDB180N16
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 1 356,000000 Kč1 640,760000 Kč
5 + 1 256,000000 Kč1 519,760000 Kč
10 + 1 105,000000 Kč1 337,050000 Kč
20 + 1 055,000000 Kč1 276,550000 Kč
1600V 180A/100°C ,

Základní informace:

Značení výrobceS3PDB180N16 
Vývody:Screw terminal 
Typ součástky:Bridge 3f Uncontrolled 
KategorieBridge Standard Si 
Konfigurace:Bridge 3f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMIPONT-4s 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:316 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)180 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)180 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

I2t (TC/TA=25°C)16200 [A2s]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:94x54x30 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.108 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 94 [mm]
W - Šířka 54 [mm]
H - Výška 30 [mm]

Potřebujete poradit ? S3PDB180N16 Sirectifier

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace