Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
Základní informace:
Značení výrobce | IXXN110N65C4H1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | single 1*(T+D) ? |
Konstrukce: | 1*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 1 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SOT-227 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 36 [g] |
Typ balení: | TUBE |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 110 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ?Testovací podmínky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.35 [V] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 750 [W] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 100 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 32 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 43 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 180 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 3690 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.42 [°C/W] |
RM - Rozteč vývodů | 15 [mm] |
RM1 - Rozteč řad vývodů | 12.7 [mm] |
D - Ø vnější | 4.1 [mm] |
L - Délka | 38.1 [mm] |
W - Šířka | 25.3 [mm] |
H - Výška | 12 [mm] |