Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK25MH120TSCp

MOSFET Module Full SiC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK25MH120TSCp Semikron
SK25MH120TSCp Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:173645
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK25MH120TSCp
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
MOSFET Module Full SiC

Základní informace:

Značení výrobceSK25MH120TSCp 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:4*FET-BD 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-2p 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:22.8 [g]
Malé balení (počet jednotek):15 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)22 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
tr (Turn-on / rise time)50 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)110 [nC]
Cin (Input Capacitance)2070 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:41x28x16 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.4 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 41 [mm]
W - Šířka 28 [mm]
H - Výška 16 [mm]

Potřebujete poradit ? SK25MH120TSCp Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace