Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK45MLET12SCp

MOSFET Modul,Full SiC, 3Channel Boost topology

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK45MLET12SCp Semikron
SK45MLET12SCp Semikron
Zboží již není skladem
ID Code:173649
Výrobce:Semikron
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK45MLET12SCp
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
MOSFET Modul,Full SiC, 3Channel Boost topology

Základní informace:

Značení výrobceSK45MLET12SCp 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfigurace:Low side 3*(Boost Chopper)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC N-Channel MOSFET 
Konstrukce:3*FET-BD+6*D 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-3p 
Typ materiálu:SiC Full 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Malé balení (počet jednotek):15 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)38 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Qg (Total Gate Charge)189 [nC]
Cin (Input Capacitance)3700 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:55x31x16 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)1.28 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 55 [mm]
W - Šířka 31 [mm]
H - Výška 16 [mm]

Potřebujete poradit ? SK45MLET12SCp Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace