IGBT 650V
ID Code: | 177543 |
Výrobce: | Semikron |
Cena s DPH : | 2 693,460000 Kč |
Cena bez DPH : | 2 226,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | SK50GD07E3ETE1 |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 2 226,000000 Kč | 2 693,460000 Kč | ||
16 + | 1 420,000000 Kč | 1 718,200000 Kč | ||
160 + | 1 109,000000 Kč | 1 341,890000 Kč | ||
480 + | 1 054,000000 Kč | 1 275,340000 Kč |
Značení výrobce | SK50GD07E3ETE1 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Bridge 3f -SE(single emiter) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 6*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 6 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITOP-E1 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 68.24 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 6 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 49 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 39 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.37 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Cin (Input Capacitance) | 3114 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.9 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |