Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

SK50GD07E3ETE1

IGBT 650V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SK50GD07E3ETE1 Semikron
SK50GD07E3ETE1 Semikron
ks
ID Code:177543
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 2 693,460000 Kč
Cena bez DPH : 2 226,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SK50GD07E3ETE1
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 226,000000 Kč2 693,460000 Kč
16 + 1 420,000000 Kč1 718,200000 Kč
160 + 1 109,000000 Kč1 341,890000 Kč
480 + 1 054,000000 Kč1 275,340000 Kč
IGBT 650V

Základní informace:

Značení výrobceSK50GD07E3ETE1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Bridge 3f -SE(single emiter)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:6*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 6 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMITOP-E1 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:68.24 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)49 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)39 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.37 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Cin (Input Capacitance)3114 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.9 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? SK50GD07E3ETE1 Semikron

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace