Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 730000mW 7-Pin 34MM-1 Tray
ID Code: | 178105 |
Výrobce: | Infineon Technologies |
Cena s DPH : | 3 281,520000 Kč |
Cena bez DPH : | 2 712,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | Skladem |
Celkem skladem: | 8 ks |
Značení výrobce: | BSM200GB60DLC |
Centrální sklad Zdice: | 8 ks |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 2 712,000000 Kč | 3 281,520000 Kč | ||
3 + | 2 693,000000 Kč | 3 258,530000 Kč | ||
5 + | 2 645,000000 Kč | 3 200,450000 Kč | ||
10 + | 2 608,000000 Kč | 3 155,680000 Kč |
Značení výrobce | BSM200GB60DLC |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMITRANS-2 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 160.986 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 230 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.25 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.95 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4050 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 730 [W] |
Esw (125°C) | 22 [mJ] |
tr (Turn-on / rise time) | 43 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 33 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 9000 [pF] |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.17 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
L - Délka | 94 [mm] |
W - Šířka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
Alternativa 1: | 137151 - SKM195GB066D (SMK) |