Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DCR2760M85

Fázově řízený tyristor 8500V/2765A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DCR2760M85 Dynex Semiconductor
DCR2760M85 Dynex Semiconductor
DCR2760M85 Dynex Semiconductor
Zboží již není skladem
ID Code:180717
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DCR2760M85
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
Fázově řízený tyristor 8500V/2765A

Základní informace:

Značení výrobceDCR2760M85 
Typ součástky:Thyristor PCT 
KategorieThyristor Standard Disc 
Konfigurace:single TY  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:PUK 
Pouzdro [inch] :PUK148/100x26T 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:2100 [g]
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2765 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)2765 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1500 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)200 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)5280000 [A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)1000000 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.005 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

D - Ø vnější 148 [mm]
H - Výška 26 [mm]
Fmin:74000 [N]
Fmax:91000 [N]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:5STP 20Q8500 
Podobné výrobky 2:T2251N80TOH  

Potřebujete poradit ? DCR2760M85 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace