Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

IXFN60N80P

800V Power MOSFET

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
ks
ID Code:181387
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 1 039,390 CZK
Cena bez DPH : 859,000 CZK
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: IXFN60N80P
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 859,000 CZK1 039,390 CZK
5 + 773,000 CZK935,330 CZK
800V Power MOSFET

Základní informace:

Značení výrobceIXFN60N80P 
Typ pouzdra:MOD 
Pouzdro:SOT-227 
Typ součástky:N-MOSFET 
Konfigurace:single 1*(T+D) 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1040 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)140 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Materiál, barva, provedení:

Materiál:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.12 [°C/W]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:0.09 [g]
Počet jednotek v balení:10 

Váš dotaz IXFN60N80P

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace