Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

2ASC-12A1HP SiC Core

Jádro ovladače SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
2ASC-12A1HP SiC Core Microchip Technology
2ASC-12A1HP SiC Core Microchip Technology
ks
ID Code:182593
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 5 958,6450 Kč
Cena bez DPH : 4 924,5000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:3 ks
Značení výrobce: 2ASC-12A1HP
Centrální sklad Zdice: 3 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 4 924,5000 Kč5 958,6450 Kč
5 + 4 719,3100 Kč5 710,3651 Kč
10 + 4 514,1300 Kč5 462,0973 Kč
25 + 3 590,7400 Kč4 344,7954 Kč
Jádro ovladače SiC modulů 1200V 2 x 3W , vše programovatelné softwarem bez nutnosti měnit hardware (třeba Rg). AgileSwitch 2ASC-12A1HP vysoce výkonné jádro budičů SiC modulů umožňuje lepší kontrolu a ochranu většiny modulů na bázi SiC MOSFET. Jádro poskytuje až 10A špičkového proudu při provozní frekvenci 100kHz. Jádro s vysokým zatížením CMTI zahrnuje izolovaný DC / DC převodník a izolační bariéru s nízkou kapacitou pro signály PWM a zpětnou vazbu, až 7 chybových stavů. Inteligentní konfigurační nástroj (IKT) umožní uživatelům správně nakonfigurovat parametry ovladače brány do své aplikace (pomocí PIC KIT ASBK-014), aniž by se museli starat o změnu hardwaru (výměna Rg). Software programovatelné funkce: Rozšířená funkce Turn-Off TM (AT Off) (patentovaná), ± VGS napájecí napětí, Uzamknutí podpěťového napájení (UVLO), Blokování přepětí napájecího zdroje (OVLO), Nastavení detekce desaturace, Mrtvého času, Blokování poruch a Automatického obnovení.

Základní informace:

Značení výrobce2ASC-12A1HP 
Typ součástky:Core Driver SiC 
KategorieDriver 
Konfigurace:Low+High side  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:2 kanály 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:26 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

UDC-Sup.Min (Min.napájecí DC napětí)14 [V]
UDC-Sup.Nom (Nom.napájecí DC napětí)15.00 [V]
UDC-Sup.Max (Max.napájecí DC napětí)16 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3750 [V]
UDC-OUT (off/min)14 [V]
UDC-OUT (on/max)16 [V]
IOUT puls (Log.1=ON) (TA=25°C)10 [A]
IOUT puls (Log.0=OFF) (TA=25°C)10 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)100000 [V/µs]
Pmax bez chladiče ( TA=25°C)[W]
Input Logic Level (UGS level)5V 
tf/tq (Turn-off / fall time)200 [ns]
f max100 [kHz]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)105 [°C]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Potřebujete poradit ? 2ASC-12A1HP SiC Core Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace