Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

ACR3200VR33

Překlenovací Thyristor 3300V / 3200A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích VSC

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:183764
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 23 716,000000 Kč
Cena bez DPH : 19 600,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: ACR3200VR33
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 19 600,000000 Kč23 716,000000 Kč
3 + 19 110,000000 Kč23 123,100000 Kč
6 + 18 130,000000 Kč21 937,300000 Kč
12 + 16 660,000000 Kč20 158,600000 Kč
Asymetrický, překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích převodníků zdrojů napětí. Velmi vysoká odolnost proto kosmickému záření a hodnocení FIT, vysoká odolnost přepětí
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt

Základní informace:

Značení výrobceACR3200VR33 
Typ součástky:Trisil 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Konfigurace:single TY  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:PUK 
Pouzdro [inch] :PUK110/73x27T 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1200 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9050000 [A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)3000 [ns]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.00746 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

D - Ø vnější 110 [mm]
H - Výška 27 [mm]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Související zboží - ACR3200VR33

H.CD01/102/28kN/L180 H.CD01/102/28kN/L180   Přítlačná konstrukce 28kN ,rozteč 102mm, délka L=180mm
ID: 107043   Zn.výrobce: CD01/102/28kN/L180  
na dotaz
Výrobce: PADA engineering  
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? ACR3200VR33 Dynex Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace