Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT100GN120J

IGBT, 1200V Field Stop, 153A, 446W, SOT-227

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT100GN120J Microchip Technology
APT100GN120J Microchip Technology
APT100GN120J Microchip Technology
ks
ID Code:187610
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 1 233,232 Kč
Cena bez DPH : 1 019,200 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT100GN120J
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 019,200 Kč1 233,232 Kč
5 + 976,760 Kč1 181,880 Kč
10 + 934,300 Kč1 130,503 Kč
25 + 891,830 Kč1 079,114 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT100GN120J 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-Fieldstop 
Konfigurace:single (1T)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:33 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)153 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)153 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)70 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)446 [W]
tr (Turn-on / rise time)50 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)105 [ns]
Qg (Total Gate Charge)540 [nC]
Cin (Input Capacitance)6500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.28 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)38x25x12 [mm]

Související zboží - APT100GN120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 3374
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? APT100GN120J Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace