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APT100GT120JRDQ4
Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187810 |
| Fabricant: | Microchip Technology |
| Prix avec TVA : | 85,267524 € |
| Prix hors TVA : | 70,469028 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilité: | sur demande |
| Stock total: | 0 pcs |
| Marquage fabricant: | APT100GT120JRDQ4 |
| Délai de livraison en usine: | 42wk-49wk |
| Unité:: | pcs |
| Aperçu des remises sur volume | Quantité (pcs) | Prix hors TVA | Prix avec TVA | |
| 1 + | 70,469028 € | 85,267524 € | ||
| 5 + | 67,533347 € | 81,715350 € | ||
| 10 + | 64,597269 € | 78,162695 € | ||
| 25 + | 61,660796 € | 74,609563 € |
Informations de base :
| Marquage fabricant | APT100GT120JRDQ4 |
| Délai de livraison en usine | 42wk-49wk [wk] |
| Type de composant: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Configuration: | single 1*(T+D) |
| Construction: | 1*(IGBT+D) |
| Nombre de circuits | 1 ks |
| Type de cas: | Modul |
| Cas [inch] : | SOT-227 |
| Type de matériel: | Si-Silicon |
| RoHS | Oui |
| REACH | Non |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Emballage et poids :
| Unité: | pcs |
| Poids: | 36 [g] |
| Type d’emballage: | TUBE |
| Petit paquet (nombre d'unités): | 1 |
Paramètres électro-physiques:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 123 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 67 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 570 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 100 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 36 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 685 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 6700 pF |
Paramètres thermiques et mécaniques:
| Dimensions (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
| Tmin (température minimale de travail) | -55 [°C] |
| Tmax (température maximale de service) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.22 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 15 [mm] |
| RM1 - Espacement de lignes | 12.7 [mm] |
| D - Diamètre extérieur | 4.1 [mm] |
| L - Longueur | 38.1 [mm] |
| W - Largeur | 25.3 [mm] |
| H - Hauteur | 12 [mm] |