Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT100GT120JRDQ4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube

ks
ID Code:187810
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 032,316 Kč
Cena bez DPH : 1 679,600 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT100GT120JRDQ4
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 679,600 Kč2 032,316 Kč
5 + 1 609,630 Kč1 947,652 Kč
10 + 1 539,650 Kč1 862,977 Kč
25 + 1 469,660 Kč1 778,289 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT100GT120JRDQ4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-NPT 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:33 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)123 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)67 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)570 [W]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)36 [ns]
Qg (Total Gate Charge)685 [nC]
Cin (Input Capacitance)6700 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Potřebujete poradit ? APT100GT120JRDQ4 Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace