Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT10M07JVFR

N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT10M07JVFR Microchip Technology
APT10M07JVFR Microchip Technology
APT10M07JVFR Microchip Technology
ks
ID Code:186540
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 329,0080 Kč
Cena bez DPH : 1 924,8000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT10M07JVFR
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 924,8000 Kč2 329,0080 Kč
5 + 1 844,6000 Kč2 231,9660 Kč
10 + 1 764,4000 Kč2 134,9240 Kč
25 + 1 684,2000 Kč2 037,8820 Kč
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,007 Ohm, 100V / 225A
Power MOS V® je nová generace vysokonapěťových N-kanálových vylepšení výkonových tranzistorů MOSFET. Tato nová technologie minimalizuje efekt JFET, zvyšuje hustotu osazení a snižuje zapínací odpor. Power MOS V® také dosahuje vyšších spínacích rychlostí díky optimalizovanému uspořádání hradel.

Základní informace:

Značení výrobceAPT10M07JVFR 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseNo Info 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)225 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)225 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)700 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)[mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)120 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1050 [nC]
Cin (Input Capacitance)21600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Potřebujete poradit ? APT10M07JVFR Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace