Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT13GP120BDQ1G

PT IGBT, 1200V, 41A, 250W, TO-247

ks
ID Code:187791
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 242,484 Kč
Cena bez DPH : 200,400 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT13GP120BDQ1G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 200,400 Kč242,484 Kč
5 + 192,100 Kč232,441 Kč
10 + 183,740 Kč222,325 Kč
25 + 175,390 Kč212,222 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT13GP120BDQ1G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-PT 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AD_3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:6.1 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)41 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)41 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)20 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.3 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)250 [W]
tr (Turn-on / rise time)12 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)34 [ns]
Qg (Total Gate Charge)55 [nC]
Cin (Input Capacitance)1145 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.5 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.18 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 3.65 [mm]
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 21 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů19.8 [mm]

Potřebujete poradit ? APT13GP120BDQ1G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace