Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT150GN120JDQ4

IGBT, 1200V Field Stop, 215A, 625W, SOT-227

ks
ID Code:187614
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 240,678 Kč
Cena bez DPH : 1 851,800 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT150GN120JDQ4
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 851,800 Kč2 240,678 Kč
5 + 1 774,680 Kč2 147,363 Kč
10 + 1 697,520 Kč2 053,999 Kč
25 + 1 620,360 Kč1 960,636 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT150GN120JDQ4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-Fieldstop 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:33 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)215 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)215 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)99 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)625 [W]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)85 [ns]
Qg (Total Gate Charge)800 [nC]
Cin (Input Capacitance)9500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)38x25x12 [mm]

Související zboží - APT150GN120JDQ4

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Zn.výrobce: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množství [ks]1+10+50+100+
CZK/ks18,00017,00016,00014,000
Celkem skladem: 3374
Výrobce: -  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? APT150GN120JDQ4 Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace