Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

APT20M11JVR

N-channel MOSFET SOT-227B , 0,011 Ohm, 200V / 175A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT20M11JVR Microchip Technology
APT20M11JVR Microchip Technology
APT20M11JVR Microchip Technology
APT20M11JVR Microchip Technology
ks
ID Code:186537
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 520,5510 Kč
Cena bez DPH : 2 083,1000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT20M11JVR
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 083,1000 Kč2 520,5510 Kč
5 + 1 996,3100 Kč2 415,5351 Kč
10 + 1 909,5100 Kč2 310,5071 Kč
25 + 1 822,7200 Kč2 205,4912 Kč
N-channel MOSFET SOT-227B , 0,011 Ohm, 200V / 175A
Power MOS V® je nová generace vysokonapěťových N-kanálových vylepšení výkonových tranzistorů MOSFET. Tato nová technologie minimalizuje efekt JFET, zvyšuje hustotu osazení a snižuje zapínací odpor. Power MOS V® také dosahuje vyšších spínacích rychlostí díky optimalizovanému uspořádání hradel.

Základní informace:

Značení výrobceAPT20M11JVR 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseNo Info 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)700 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)11 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)460 [ns]
tr (Turn-on / rise time)80 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1035 [nC]
Cin (Input Capacitance)21600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:SOT-227 
Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:186538 - APT20M11JVFR (MCH) 

Potřebujete poradit ? APT20M11JVR Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace