Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT25GN120B2DQ2G

IGBT, 1200V Field Stop, 67A, 272W, T-MAX

ks
ID Code:187617
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 328,636 Kč
Cena bez DPH : 271,600 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT25GN120B2DQ2G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 271,600 Kč328,636 Kč
5 + 260,270 Kč314,927 Kč
10 + 248,950 Kč301,230 Kč
25 + 237,640 Kč287,544 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT25GN120B2DQ2G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-Fieldstop 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AD_3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:6.1 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)67 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)67 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)33 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)272 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)135 [ns]
Qg (Total Gate Charge)155 [nC]
Cin (Input Capacitance)1800 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.46 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 3.65 [mm]
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 21 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů19.8 [mm]

Potřebujete poradit ? APT25GN120B2DQ2G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace