Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT30GN60BDQ2G

IGBT, 600V Field Stop, 63A, 203W, TO-247

ks
ID Code:187686
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 170,2470 Kč
Cena bez DPH : 140,7000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT30GN60BDQ2G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 140,7000 Kč170,2470 Kč
5 + 134,8400 Kč163,1564 Kč
10 + 128,9800 Kč156,0658 Kč
25 + 123,1100 Kč148,9631 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT30GN60BDQ2G 
Typ součástky:IGBT-Fieldstop 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AD_3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:7.2 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)63 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)63 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)37 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)203 [W]
tr (Turn-on / rise time)14 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)55 [ns]
Qg (Total Gate Charge)165 [nC]
Cin (Input Capacitance)1750 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.74 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 3.65 [mm]
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 21 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů19.8 [mm]

Potřebujete poradit ? APT30GN60BDQ2G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace