Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT30M19JVR

Trans MOSFET N-CH 300V 130A 4-Pin SOT-227 Tube

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT30M19JVR Microchip Technology
APT30M19JVR Microchip Technology
APT30M19JVR Microchip Technology
ks
ID Code:188513
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 551,5270 Kč
Cena bez DPH : 2 108,7000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT30M19JVR
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 108,7000 Kč2 551,5270 Kč
5 + 2 020,8400 Kč2 445,2164 Kč
10 + 1 932,9800 Kč2 338,9058 Kč
25 + 1 845,1100 Kč2 232,5831 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT30M19JVR 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 300 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)130 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)130 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)700 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)19 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)620 [ns]
tr (Turn-on / rise time)33 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)10 [ns]
Qg (Total Gate Charge)650 [nC]
Cin (Input Capacitance)18000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.18 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Potřebujete poradit ? APT30M19JVR Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace