Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT34M120J

Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 35A 4-Pin SOT-227 Tube

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT34M120J Microchip Technology
APT34M120J Microchip Technology
APT34M120J Microchip Technology
ks
ID Code:188493
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 2 216,720 Kč
Cena bez DPH : 1 832,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT34M120J
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 832,000 Kč2 216,720 Kč
5 + 1 755,640 Kč2 124,324 Kč
10 + 1 679,300 Kč2 031,953 Kč
25 + 1 602,970 Kč1 939,594 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT34M120J 
KategorieFET N-Channel 
Typ součástky:N_FET 1x single 
Konfigurace:Single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:1*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:33 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)35 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)22 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)960 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)290 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)1430 [ns]
tr (Turn-on / rise time)60 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)90 [ns]
Qg (Total Gate Charge)560 [nC]
Cin (Input Capacitance)18200 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.13 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Potřebujete poradit ? APT34M120J Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace