- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APT40GF120JRDQ2
APT40GF120JRDQ2
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 347000mW
| ID Code: | 187839 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 1 494,834000 Kč |
| Cena bez DPH : | 1 235,400000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APT40GF120JRDQ2 |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 1 235,400000 Kč | 1 494,834000 Kč | ||
| 5 + | 1 183,930000 Kč | 1 432,555300 Kč | ||
| 10 + | 1 132,450000 Kč | 1 370,264500 Kč | ||
| 25 + | 1 080,980000 Kč | 1 307,985800 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | APT40GF120JRDQ2 |
| Typ součástky: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | single 1*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 1*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 1 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SOT-227 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 36 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 80 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 80 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 42 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 347 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 43 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 70 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 340 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3460 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.36 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.1 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 12.7 [mm] |
| Počet PIN (vývodů) | 3 |
| D - Ø vnější | 4.1 [mm] |
| W - Šířka | 25.3 [mm] |
| L - Délka | 38.1 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |