Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT50GN120L2DQ2G

IGBT, 1200V NPT Field Stop, 134A, 543W, TO-264Max

ks
ID Code:187630
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 589,633 Kč
Cena bez DPH : 487,300 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT50GN120L2DQ2G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 487,300 Kč589,633 Kč
5 + 466,990 Kč565,058 Kč
10 + 446,690 Kč540,495 Kč
25 + 426,380 Kč515,920 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT50GN120L2DQ2G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-Fieldstop 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-264 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:[g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)134 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)134 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)66 [A]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)543 [W]
tr (Turn-on / rise time)27 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)115 [ns]
Qg (Total Gate Charge)315 [nC]
Cin (Input Capacitance)3600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.23 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.61 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 3.25 [mm]
W - Šířka 20 [mm]
L - Délka 26 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry vývodů1,3 [mm]
Lv - Délka vývodů20 [mm]

Potřebujete poradit ? APT50GN120L2DQ2G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace