IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Podstawowe informacje:
Oznaczenie producenta | APT50GN60BDQ2G |
Czas realizacji fabryki | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguracja: | single 1*(T+D) |
Budowa: | 1*(IGBT+D) |
Liczba obwodów | 1 ks |
Rodzaj sprawy: | THT |
Obudowa [inch] : | TO-247AD_3 |
Rodzaj materiału: | Si-Silicon |
RoHS | Tak |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Opakowania i wagi:
Jednostki: | szt |
Waga: | 7.2 [g] |
Rodzaj opakowania: | TUBE |
Małe opakowanie (liczba sztuk): | 1 |
Parametry elektrofizyczne:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 64 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 366 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3200 pF |
Parametry termiczne i mechaniczne:
Wymiary (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
Tmin (minimalna temperatura robocza) | -55 [°C] |
Tmax (maksymalna temperatura robocza) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 5.45 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Średnica zewnętrzna | 3.65 [mm] |
L - Długość | 21 [mm] |
W - Szerokość | 16 [mm] |
H - Wysokość | 5 [mm] |
PIN wymiary | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 19.8 [mm] |
Alternatywy i zamienniki
Alternatywne produkty 1: | IXXH75N60B3D1 |
Alternatywne produkty 2: | IXXH50N60B3D1 |