Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT50GN60BDQ2G

IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT50GN60BDQ2G Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:185727
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 160,930 Kč
Cena bez DPH : 133,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT50GN60BDQ2G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 133,000 Kč160,930 Kč
3 + 130,900 Kč158,389 Kč
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Základní informace:

Značení výrobceAPT50GN60BDQ2G 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AD_3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)107 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)64 [A]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)366 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)100 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)325 [nC]
Cin (Input Capacitance)3200 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]

Rozměry:

Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:12.98 [g]
Počet jednotek v balení:30 

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:IXXH75N60B3D1 
Podobné výrobky 2:IXXH50N60B3D1 

Váš dotaz APT50GN60BDQ2G

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace