APT50GN60BDQ2G
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| ID Code: | 185727 |
| Výrobce: | Microchip Technology - Microsemi |
| Cena s DPH : | 194,810 Kč |
| Cena bez DPH : | 161,000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APT50GN60BDQ2G |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 161,000 Kč | 194,810 Kč | ||
| 5 + | 154,000 Kč | 186,340 Kč | ||
| 10 + | 147,000 Kč | 177,870 Kč | ||
| 25 + | 141,000 Kč | 170,610 Kč |
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Základní informace:
| Značení výrobce | APT50GN60BDQ2G |
| Typ pouzdra: | THT |
| Pouzdro: | TO-247AD_3 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | single 1*(T+D) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 12.98 [g] |
| Typ balení: | TUBE |
| Malé balení (počet jednotek): | 30 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 107 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C) | 64 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 366 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 100 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.015 [MHz] ? fmax - definice pro součástky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3200 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
| Počet PIN (vývodů) | 3 |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |
Alternativy a náhrady
| Podobné výrobky 1: | IXXH75N60B3D1 |
| Podobné výrobky 2: | IXXH50N60B3D1 |