Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT50GT120B2RDQ2G

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

ks
ID Code:187851
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 586,487 Kč
Cena bez DPH : 484,700 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT50GT120B2RDQ2G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 484,700 Kč586,487 Kč
5 + 464,510 Kč562,057 Kč
10 + 444,310 Kč537,615 Kč
25 + 424,120 Kč513,185 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT50GT120B2RDQ2G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Typ součástky:IGBT-NPT 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-247AD_3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:6.1 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)94 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)94 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)625 [W]
tr (Turn-on / rise time)53 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)26 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin (Input Capacitance)3700 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.8 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů5.45 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 3.65 [mm]
W - Šířka 16 [mm]
L - Délka 21 [mm]
H - Výška [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-247 [mm]
Rozměry vývodů1,4 [mm]
Lv - Délka vývodů19.8 [mm]

Potřebujete poradit ? APT50GT120B2RDQ2G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace