Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT70GR120JD60

Trans IGBT Module N-CH 1200V 112A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube

ks
ID Code:187870
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 1 316,2380 Kč
Cena bez DPH : 1 087,8000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APT70GR120JD60
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 087,8000 Kč1 316,2380 Kč
5 + 1 042,4700 Kč1 261,3887 Kč
10 + 997,1500 Kč1 206,5515 Kč
25 + 951,8300 Kč1 151,7143 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPT70GR120JD60 
Typ součástky:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:1*IGBT+1*D 
Počet obvodů (v pouzdře) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)112 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)112 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)70 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)543 [W]
tr (Turn-on / rise time)48 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)64 [ns]
Qg (Total Gate Charge)412 [nC]
Cin (Input Capacitance)7260 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.23 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
Počet PIN (vývodů)
D - Ø vnější 4.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Potřebujete poradit ? APT70GR120JD60 Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace