Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APT75GN60LDQ3G

IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APT75GN60LDQ3G Microchip Technology - Microsemi
APT75GN60LDQ3G Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:172782
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 278,300 Kč
Cena bez DPH : 230,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:Skladem
Celkem skladem:56 ks
Značení výrobce: APT75GN60LDQ3G
Centrální sklad Zdice: 56 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 230,000 Kč278,300 Kč
5 + 220,000 Kč266,200 Kč
10 + 211,000 Kč255,310 Kč
25 + 201,000 Kč243,210 Kč
IGBT Chip N-CH 600V 155A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

Základní informace:

Značení výrobceAPT75GN60LDQ3G 
Typ pouzdra:THT 
Pouzdro:TO-264 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:12.98 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):30 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)155 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)155 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=110÷119°C)93 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)536 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)125 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)29 [ns]
tr (Turn-on / rise time)48 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)38 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)485 [nC]
Cin (Input Capacitance)4500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.28 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Počet PIN (vývodů)
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:IXXH75N60B3D1 

Váš dotaz APT75GN60LDQ3G

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace