Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APTGLQ300H65G

IGBT 650V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTGLQ300H65G Microchip Technology
APTGLQ300H65G Microchip Technology
APTGLQ300H65G Microchip Technology
ks
ID Code:185767
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 11 780,4390 Kč
Cena bez DPH : 9 735,9000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTGLQ300H65G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 9 735,9000 Kč11 780,4390 Kč
5 + 9 330,2400 Kč11 289,5904 Kč
10 + 8 924,5800 Kč10 798,7418 Kč
25 + 8 518,9100 Kč10 307,8811 Kč
IGBT 650V H-Bridge • High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology

Základní informace:

Značení výrobceAPTGLQ300H65G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Bridge 1f  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:4*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 4 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-41 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:330 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)385 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)385 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)300 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.3 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1000 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)125 [ns]
tr (Turn-on / rise time)33 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)21 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1750 [nC]
Cin (Input Capacitance)18300 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.15 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.26 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů[mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
Rozměry vývodů2,8 [mm]
Lv - Délka vývodů[mm]

Potřebujete poradit ? APTGLQ300H65G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace