APTGLQ300H65G
IGBT 650V
| ID Code: | 185767 |
| Výrobce: | Microsemi / Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 8 645,450 Kč |
| Cena bez DPH : | 7 145,000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APTGLQ300H65G |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 7 145,000 Kč | 8 645,450 Kč |
| 5 + | 6 847,000 Kč | 8 284,870 Kč |
| 10 + | 6 549,000 Kč | 7 924,290 Kč |
| 25 + | 6 252,000 Kč | 7 564,920 Kč |
IGBT 650V H-Bridge • High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology
Základní informace:
| Značení výrobce | APTGLQ300H65G |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL-SP6C |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Full Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 300 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 2 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 385 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 385 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 300 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.3 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1000 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 125 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 33 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 21 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.03 [MHz] ? fmax - definice pro součástky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 1750 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 18300 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.15 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.26 [°C/W] |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |