IGBT 1200V Half Bridge • Fast Trench + Field Stop IGBT3 up 20kHz
Información básica:
Fabricante de la marca | APTGT75A120T1G |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SP1 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 96 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 110 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 75 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.1 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 357 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 170 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 5340 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 52x41x12 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.35 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.58 [°C/W] |
RM - Ráster | 3.8 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 38 [mm] |
L - Longitud | 51.6 [mm] |
W - Ancho | 40.8 [mm] |
H - Altura | 11.5 [mm] |
PIN dimensiones | 1,2 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.1 [mm] |