Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APTGT75A120T1G

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTGT75A120T1G Microchip Technology - Microsemi
APTGT75A120T1G Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:185773
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 2 185,260 Kč
Cena bez DPH : 1 806,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTGT75A120T1G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 806,000 Kč2 185,260 Kč
5 + 1 731,000 Kč2 094,510 Kč
10 + 1 656,000 Kč2 003,760 Kč
25 + 1 580,000 Kč1 911,800 Kč
IGBT 1200V Half Bridge • Fast Trench + Field Stop IGBT3 up 20kHz

Základní informace:

Značení výrobceAPTGT75A120T1G 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-SP1F 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:80 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):13 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)110 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)110 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)75 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.1 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)357 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)170 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)5340 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.35 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.58 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz APTGT75A120T1G

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace