- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APTGTQ200A65T3G
APTGTQ200A65T3G
IGBT 650V
| ID Code: | 185776 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 4 385,4030 Kč |
| Cena bez DPH : | 3 624,3000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APTGTQ200A65T3G |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 3 624,3000 Kč | 4 385,4030 Kč | ||
| 5 + | 3 473,2900 Kč | 4 202,6809 Kč | ||
| 10 + | 3 322,2800 Kč | 4 019,9588 Kč | ||
| 25 + | 3 171,2600 Kč | 3 837,2246 Kč |
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz
Základní informace:
| Značení výrobce | APTGTQ200A65T3G |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP3F |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 125 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 650 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 200 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 483 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 18 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 480 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 12000 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.31 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč řad vývodů | 38 [mm] |
| W - Šířka | 42.5 [mm] |
| L - Délka | 73.4 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Rozměry vývodů | 1,35 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5.3 [mm] |