Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APTGTQ200A65T3G

IGBT 650V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTGTQ200A65T3G Microsemi / Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:185776
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 3 072,190 Kč
Cena bez DPH : 2 539,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTGTQ200A65T3G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 2 539,000 Kč3 072,190 Kč
3 + 2 476,000 Kč2 995,960 Kč
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz

Základní informace:

Značení výrobceAPTGTQ200A65T3G 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL-SP3F 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:110 [g]
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)483 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.1 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)480 [nC]
Cin (Input Capacitance)12000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.31 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.35 [°C/W]
Rozměry vývodů0.00 [mm]

Váš dotaz APTGTQ200A65T3G

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semic.cz, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.cz

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace