Inteligent Power Module - IGBT 1200V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT4 Technology with drivers and a protection
Información básica:
Fabricante de la marca | APTLGL325A1208G |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT IPM-Inteligent |
Configuración: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Construcción: | 2*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | LP8 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 570 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 420 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 325 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1500 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 155 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 70 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 17600 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 110x84x27 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.1 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.17 [°C/W] |
RM - Ráster | 2.54 [mm] |
L - Longitud | 110.6 [mm] |
W - Ancho | 84.4 [mm] |
H - Altura | 27.2 [mm] |
PIN dimensiones | 0,64 [mm] |
Lv - Length of outlets | 11 [mm] |