Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

APTM120A15FG

MOSFET Half Bridge1200V/60A

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
ks
ID Code:185810
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 13 582,0080 Kč
Cena bez DPH : 11 224,8000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTM120A15FG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 11 224,8000 Kč13 582,0080 Kč
5 + 10 757,1200 Kč13 016,1152 Kč
10 + 10 289,4200 Kč12 450,1982 Kč
25 + 9 821,7200 Kč11 884,2812 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPTM120A15FG 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:2*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-3 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:330 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)60 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)45 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1250 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)175 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)320 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)45 [ns]
f max50 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)748 [nC]
Cin (Input Capacitance)20600 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.1 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů[mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
Rozměry vývodů2,8 [mm]
Lv - Délka vývodů[mm]

Potřebujete poradit ? APTM120A15FG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace