- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- FET
- N - kanál
- APTM120A15FG
APTM120A15FG
MOSFET Half Bridge1200V/60A
| ID Code: | 185810 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 13 164,195000 Kč |
| Cena bez DPH : | 10 879,500000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APTM120A15FG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Dodací lhůta výrobce: | 42wk-49wk ? Očekávaná dodací lhůta |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 10 879,500000 Kč | 13 164,195000 Kč | ||
| 5 + | 10 426,180000 Kč | 12 615,677800 Kč | ||
| 10 + | 9 972,860000 Kč | 12 067,160600 Kč | ||
| 25 + | 9 519,550000 Kč | 11 518,655500 Kč |
Phase leg MOSFET Power Module 1200V/60A Rdson = 150m?Ohm
Základní informace:
| Značení výrobce | APTM120A15FG |
| Dodací lhůta výrobce | 42wk-49wk [wk] ? Očekávaná dodací lhůta |
| Typ součástky: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | Enhancement Mode |
| Konstrukce: | 2*FET-BD |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Pouzdro [inch] : | SP6-3 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 330 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| UDS | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 45 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1250 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 10V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 175 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 320 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 45 [ns] |
| f max | 50 [kHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 748 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 20600 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Rozměry (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 6 [mm] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| H - Výška | 17 [mm] |
| Rozměry vývodů | 2,8 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 5 [mm] |