APTM120A15FG
MOSFET Half Bridge1200V/60A
| ID Code: | 185810 |
| Výrobce: | Microsemi / Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 10 247,490 Kč |
| Cena bez DPH : | 8 469,000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APTM120A15FG |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| množstevní slevy | Počet | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 8 469,000 Kč | 10 247,490 Kč |
| 3 + | 8 258,000 Kč | 9 992,180 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | APTM120A15FG |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | MODUL-SP6 |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfigurace: | Half Bridge ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 300 [g] |
| Malé balení (počet jednotek): | 4 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 60 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 60 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 45 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 1250 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 30V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 175 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 320 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 45 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.05 [MHz] ? fmax - definice pro součástky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 748 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 20600 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| Rozměry vývodů | 0.00 [mm] |
Copyright © www.semic.cz,
provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz