Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module 1200V/50A Rdson = 200m?Ohm
Información básica:
Fabricante de la marca | APTM120A20DG |
Plazo de entrega de fábrica | 42wk-49wk [wk] |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configuración: | Half Bridge (T-BD+Series D) |
Especificación: | Enhancement Mode |
Construcción: | 2*FET-BD+2*D |
Número de circuitos | 2 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | SP6-3 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 330 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 37 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1250 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 240 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 36 [ns] |
f max | 50 [kHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 600 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 15200 pF |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.1 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
RM - Ráster | 6 [mm] |
L - Longitud | 108 [mm] |
W - Ancho | 62 [mm] |
H - Altura | 17 [mm] |
PIN dimensiones | 2,8 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5 [mm] |