- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- FET
- N - kanál
- APTM120UM70DAG
APTM120UM70DAG
MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes
| ID Code: | 185819 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 15 034,371000 Kč |
| Cena bez DPH : | 12 425,100000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | APTM120UM70DAG |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 12 425,100000 Kč | 15 034,371000 Kč | ||
| 5 + | 11 907,390000 Kč | 14 407,941900 Kč | ||
| 10 + | 11 389,680000 Kč | 13 781,512800 Kč | ||
| 25 + | 10 871,960000 Kč | 13 155,071600 Kč |
Základní informace:
| Značení výrobce | APTM120UM70DAG |
| Typ součástky: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfigurace: | Single 1*(T-BD+SeriesD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Specifikace: | Enhancement Mode |
| Konstrukce: | 2*FET-BD+1*D |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 1 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| Typ pouzdra: | MODUL |
| Pouzdro: | SP6-2 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 330 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 1 |
Elektro-fyzikální parametry:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 171 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Idc=IF (AV) - Dioda Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 171 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 5000 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 30V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 80 [mΩ] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 62 [ns] |
| f max | 50 [kHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 43500 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| RM - Rozteč vývodů | 6 [mm] |
| W - Šířka | 62 [mm] |
| L - Délka | 108 [mm] |
| H - Výška | 17 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 108x62x17 [mm] |
| Rozměry vývodů | 2,8 [mm] |
| Lv - Délka vývodů | 4 [mm] |