Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

APTM120UM70DAG

MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTM120UM70DAG Microchip Technology
APTM120UM70DAG Microchip Technology
APTM120UM70DAG Microchip Technology
ks
ID Code:185819
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 13 745,842 Kč
Cena bez DPH : 11 360,200 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTM120UM70DAG
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 11 360,200 Kč13 745,842 Kč
5 + 10 886,820 Kč13 173,052 Kč
10 + 10 413,480 Kč12 600,311 Kč
25 + 9 940,140 Kč12 027,569 Kč


Základní informace:

Značení výrobceAPTM120UM70DAG 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SP6-2 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:330 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)171 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)171 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)126 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)5000 [W]
Input Logic Level (UGS level)30V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)80 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)400 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)62 [ns]
f max50 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)1650 [nC]
Cin (Input Capacitance)43500 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů[mm]
W - Šířka 62 [mm]
L - Délka 108 [mm]
H - Výška 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
Rozměry vývodů2,8 [mm]
Lv - Délka vývodů[mm]

Potřebujete poradit ? APTM120UM70DAG Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace