- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- BSM25GD120DN2E3224
BSM25GD120DN2E3224
IGBT 1200V
| ID Code: | 158559 |
| Výrobce: | Infineon Technologies |
| Cena s DPH : | 3 663,880000 Kč |
| Cena bez DPH : | 3 028,000000 Kč |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnost: | na dotaz |
| Celkem skladem: | 0 ks |
| Značení výrobce: | BSM25GD120DN2E3224 |
| Centrální sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka:: | ks |
| Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 3 028,000000 Kč | 3 663,880000 Kč | ||
| 5 + | 2 855,000000 Kč | 3 454,550000 Kč | ||
| 10 + | 2 509,000000 Kč | 3 035,890000 Kč | ||
| 20 + | 2 422,000000 Kč | 2 930,620000 Kč |
IGBT 1200V
Základní informace:
| Značení výrobce | BSM25GD120DN2E3224 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurace: | Bridge 3f ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
| Konstrukce: | 6*(IGBT+D) |
| Počet obvodů (v pouzdře) | 6 ks |
| Typ pouzdra: | Modul |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Ano |
| REACH | Ne |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balení a hmotnost:
| Jednotka: | ks |
| Hmotnost: | 214.94 [g] |
| Typ balení: | BOX |
| Malé balení (počet jednotek): | 10 |
Elektro-fyzikální parametry:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 35 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 25 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovací podmínky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičem (TC=25°C) | 200 [W] |
| trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 130 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 50 [ns] |
| Cin (Input Capacitance) | 1650 [pF] |
Teplotní a mechanické parametry:
| Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximální pracovní teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.6 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |