Operating voltage Us=5.0÷34V; Overvoltage protection=41V; Ron<30mO; Nominal load current=12.6A; lim=24A; Rthjc=1,47°C/W
Información básica:
Fabricante de la marca | BTS640S2GATMA1 |
Tipo de componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET Smart - High Side |
Configuración: | High side |
Construcción: | 1*Smart FET |
Número de circuitos | 1 ks |
Tipo de caso: | SMD |
Caso [inch] : | D2-PAK/7 |
Tipo de material: | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 3.7 [g] |
Tipo de envase: | K33B |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 1000 |
Parámetros electrofísicos:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 34.0 [V] |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 12.6 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 4.5 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 41.6 [W] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 30 [mΩ] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.47 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 85 [°C/W] |
RM - Ráster | 1.27 [mm] |
RM1 - Espaciado de filas | 7.62 [mm] |
Number of Pins | 5 |
L - Longitud | 10.25 [mm] |
W - Ancho | 10 [mm] |
H - Altura | 4.4 [mm] |
T - espesor | 1.27 [mm] |
PIN dimensiones | 0,6x0,5 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.7 [mm] |