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BTS640S2GATMA1

Current Limit SW 1-IN 1-OUT -10V to 16V 12.6A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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BTS640S2GATMA1 Infineon Technologies
BTS640S2GATMA1 Infineon Technologies
BTS640S2GATMA1 Infineon Technologies
pcs
ID Code:186619
Fabricante:Infineon Technologies
Precio con IVA : 4,693449 €
Precio sin IVA : 3,878884 €
VAT:21 %
Disponibilidad:En la acción
Stock total:0 pcs
Fabricante de la marca: BTS640S2GATMA1
Almacén central Zdice: 1000 pcs
Unidad:: pcs
Resumen de descuentos por volumen
Cantidad (pcs)Precio sin IVAPrecio con IVA
1 + 3,878884 €4,693450 €
25 + 3,277261 €3,965486 €
100 + 3,012072 €3,644607 €
500 + 2,833960 €3,429092 €
Operating voltage Us=5.0÷34V; Overvoltage protection=41V; Ron<30mO; Nominal load current=12.6A; lim=24A; Rthjc=1,47°C/W

Información básica:

Fabricante de la marcaBTS640S2GATMA1 
Tipo de componente:FET Tranzistor 
KategorieFET Smart - High Side 
Configuración:High side 
Construcción:1*Smart FET 
Número de circuitos 1 ks
Tipo de caso:SMD 
Caso [inch] :D2-PAK/7 
Tipo de material:Si-Silicon 
RoHSSí 
REACHNo 
NOVINKA

Embalaje y peso:

Unidad:pcs 
Peso:3.7 [g]
Tipo de envase:K33B 
Paquete pequeño (Número de unidades):1000 

Parámetros electrofísicos:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 34.0 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)12.6 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)4.5 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)41.6  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)30 [mΩ]

Parámetros térmicos y mecánicos:

Dimensiones (L*W*H) [mm]:D2-PAK 
Tmin (temperatura mínima de trabajo)-40 [°C]
Tmax (temperatura de trabajo máxima)150 [°C]
Rthjc (case)1.47 [°C/W]
Rthja (ambient)85 [°C/W]
RM - Ráster1.27 [mm]
RM1 - Espaciado de filas 7.62 [mm]
Number of Pins
L - Longitud 10.25 [mm]
W - Ancho 10 [mm]
H - Altura 4.4 [mm]
T - espesor1.27 [mm]
PIN dimensiones0,6x0,5 [mm]
Lv - Length of outlets2.7 [mm]

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