V košíku nemáte žádné položky

BYG70J

600V 1A/Ttp100°C 2,1V/1A trr<30ns ,

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

Zboží již není skladem

množstevní slevy
Počet	Cena bez DPH	Cena s DPH

600V 1A/Ttp100°C 2,1V/1A trr<30ns ,

Hodnota

Mezera (podle čísla výrobku)

999.99 [mm]

Značení výrobce	BYG70J
Typ pouzdra:	SMD
Pouzdro:	SMA
Kategorie	Diode Fast SMD
Typ součástky:	Diode fast
Konfigurace:	1xDioda ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	600 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	0.53 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=60÷69°C)	0.53 [A]
U_F (maximum forward voltage)	2.1 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	5 [µA]
t_{rr max} doba zotavení (If=Inom.,@25°C)	30 [ns]

Typ materiálu:

Si-Silicon

T_min (minimální pracovní teplota)	-65 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	175 [°C]
R_th-a (tepelný odpor)	150 [°C/W] ? R_th-a - definice pro různé součástky R_th-a= R_thja pro celé pouzdro R_th-a - chladič délka L=100mm R_th-a - chladič /ks

Rozměry vývodů

0.00 [mm]

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:*
Souhlasím se zpracováním osobních údajů pro zpracování mého dotazu Více informací

Vaše jméno	Váš email
e-mail Vašeho známého
Podívej se na https://www.semic.cz/byg70j-2/
Opište kod z obrázku