V košíku nemáte žádné položky

BYP60K6

600V 60A/Tc150° 450A/10ms U<1.1V/60A/2 , Rthjc<0.6°C/W drát-KATODA

Přílohy:

Kliknutím zvětšíte

ID Code:	147406
Výrobce:	Diotec
Cena s DPH :	30,734 Kč
Cena bez DPH :	25,400 Kč
DPH:	21 %
Dostupnost:	Skladem
Celkem skladem:	166 ks
Značení výrobce:	BYP60K6
Centrální sklad Zdice:	166 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů):	0 ks
Jednotka::	ks

600V 60A/Tc150° 450A/10ms U<1.1V/60A/2 , Rthjc<0.6°C/W drát-KATODA

Hodnota

Mezera (podle čísla výrobku)

999.99 [mm]

Značení výrobce	BYP60K6
Typ pouzdra:	THT
Pouzdro:	Lisované-1
Kategorie	Dioda Standard THT
Typ součástky:	Diode standard
Konfigurace:	1xDioda ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně): Diody + Tyristory Diodové můstky Tranzistory
RoHS	Ano
REACH	Ne
NOVINKA	N

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	600 [V] ? U_dc - definice pro součástky U_dc= U_RRM - Dioda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	60 [A] ? Proud při nejnižší teplotě. Specifikace v datasheetu. I_dc=I_{F (AV)} - Dioda I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET
I_F(AV) (Tc/Ta=150÷159°C)	60 [A]
U_F (maximum forward voltage)	1.1 [V_DC] ? Testovací podmínky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (zpětný proud)	100 [µA]
I²t (T_C/T_A=25°C)	1 *[1000A²s]**

Typ materiálu:

Si-Silicon

T_min (minimální pracovní teplota)	-50 [°C]
T_max (maximální pracovní teplota)	215 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.6 [°C/W] ? R_th-c - definice pro různé součástky R_th-c= R_thjc pro celé pouzdro R_th-c- folie plocha inch²

Počet PIN (vývodů)	1
Rozměry vývodů	0.00 [mm]

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:*
Souhlasím se zpracováním osobních údajů pro zpracování mého dotazu Více informací

Vaše jméno	Váš email
e-mail Vašeho známého
Podívej se na https://www.semic.cz/byp60k6-2/
Opište kod z obrázku